2.5D中介层露铜工艺和封装结构

本申请提供的一种2.5D中介层露铜工艺和封装结构。该2.5D中介层露铜工艺包括提供具有导电柱的中介层；中介层包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面和第二表面边缘分别设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的深度为H1，第二凹槽的深度为H2，第一凹槽和第二凹槽的槽底之间的间距为H3。第二凹槽的槽底和第二端面齐平。研磨第二表面，以露出第二端面；研磨厚度为H2。从第二表面减薄中介层，以使导电柱的凸出高度为H3。之后再形成与导电柱电连接的电连部。这样，可以方便管控研磨厚度以及减薄厚度，确保所有导电柱的凸出高度一致，有利于提升后续布线精度，从而提高封装效率和封装质量。