一种LED外延片及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种LED外延片及其制备方法，包括蓝宝石衬底及设于蓝宝石衬底上的外延层，外延层包括沿外延方向依次设置的缓冲层、应力渐变层、P型层、电子阻挡层、MIDGaN层、多量子阱层、电流拓展层及N型层；缓冲层包括沿外延方向依次设置的非掺h‑BN层、C‑Si共掺h‑BN层及AlN缓冲层；应力渐变层包括沿外延方向依次设置的第一超晶格层及第二超晶格层，第一超晶格层包括周期性交替设置的AlN层及AlxGa1‑xN层，第二超晶格层包括周期性交替设置的AlyGa1‑yN层及非掺杂GaN层，其中，x＞y，且x沿外延方向递减，y沿外延方向递减。能够在有效降低衬底剥离难度及减少衬底剥离对外延层的损伤的同时，降低位错密度，提升LED芯片的晶体质量及良率。