存储计算芯片及其制造方法

本发明提供一种存储计算芯片及其制造方法，其通过硅通孔将具有计算处理器的逻辑芯片、缓冲器芯片和DRAM芯片(或DRAM芯片堆叠体)三者垂直堆叠起来，且片间可以直接通过硅通孔通讯，能够节省芯片面积，集成度高，降低晶圆加工难度，逻辑芯片可以通过缓冲器芯片大量并行访问低速DRAM芯片，提供高带宽以及大容量的缓存，而且缓冲器芯片与逻辑芯片之间不需要物理层接口来完成片间通信，大量减少了硬件资源的开销。