薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法

本申请提供了一种薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电子器件领域。该薄膜型深紫外LED芯片包括：由下至上依次层叠的支撑衬底、键合金属层、p型电极、p‑AlGaN层、有源区、n‑AlGaN层和n型电极；其中，n‑AlGaN层开设有从表面向下延伸到内部的微纳孔洞结构。基于上述结构，可有效地解决半导体层表面附近的全反射问题，增强芯片内部波导光的提取效率。