一种曲线图形的联合校正方法、装置、设备及存储介质

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种曲线图形的联合校正方法、装置、设备及存储介质，通过接收目标晶片图案；根据所述目标晶片图案，通过预训练的光学邻近校正模型，确定对应的曲线掩膜图案；根据所述曲线掩膜图案，通过预训练的掩膜工艺校正模型，确定对应的曲线电子束曝光图案；根据所述曲线电子束曝光图案，确定对应的曼哈顿图形及数值孔径；接收多种样板曼哈顿图形；根据所述样板曼哈顿图形，通过预设的数值孔径仿真得到对应的样板曲线图形；获取所述样板曲线图形对应的掩膜扫描图案；根据所述掩膜扫描图案及所述样板曲线图形对待训练的掩膜工艺校正模型进行校准。本发明提升了曲线图形的联合校正方法的兼容性与泛用性。