摘要
本发明公开了ESD器件技术领域内的一种ESD器件及其制作方法,一种ESD器件,包括:单晶片,划分第一区、第二区,第二区内设阳极区、阴极区,第一区、阳极区内有轻掺杂N型注入区,在轻掺杂N型注入区上部有轻掺杂P型注入区,在阳极区和阴极区上有重掺杂P型注入阱、重掺杂N型注入阱;玻璃晶圆内有多个通孔分别连通第一区内的轻掺杂N型注入区、轻掺杂P型注入区、重掺杂P型注入阱、重掺杂N型注入阱;阴极金属与各阴极区连接;互连金属与各阳极区及第一区内的轻掺杂N型注入区连接;阳极金属与第一区内的轻掺杂P型注入区连接。该ESD器件通过在ESD芯片阳极串联二极管,降低了器件的结电容,同时提高Vhold值;且采用玻璃晶圆作为介质层,降低了生产成本和生产周期。
技术关键词
ESD器件
玻璃
阴极
晶圆
单晶
原子层沉积工艺
通孔
串联二极管
开孔方式
正面
阳极键合
激光
芯片
光刻
周期
介质
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