一种ESD器件及其制作方法

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一种ESD器件及其制作方法
申请号:CN202511043535
申请日期:2025-07-28
公开号:CN120897516A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了ESD器件技术领域内的一种ESD器件及其制作方法,一种ESD器件,包括:单晶片,划分第一区、第二区,第二区内设阳极区、阴极区,第一区、阳极区内有轻掺杂N型注入区,在轻掺杂N型注入区上部有轻掺杂P型注入区,在阳极区和阴极区上有重掺杂P型注入阱、重掺杂N型注入阱;玻璃晶圆内有多个通孔分别连通第一区内的轻掺杂N型注入区、轻掺杂P型注入区、重掺杂P型注入阱、重掺杂N型注入阱;阴极金属与各阴极区连接;互连金属与各阳极区及第一区内的轻掺杂N型注入区连接;阳极金属与第一区内的轻掺杂P型注入区连接。该ESD器件通过在ESD芯片阳极串联二极管,降低了器件的结电容,同时提高Vhold值;且采用玻璃晶圆作为介质层,降低了生产成本和生产周期。
技术关键词
ESD器件 玻璃 阴极 晶圆 单晶 原子层沉积工艺 通孔 串联二极管 开孔方式 正面 阳极键合 激光 芯片 光刻 周期 介质
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