高集成度和高度可控灵敏度的压力传感器及其制备方法和应用

本发明涉及传感器技术领域，公开了一种高集成度和高度可控灵敏度的压力传感器及其制备方法和应用；该压力传感器包括GaN晶圆材料，其上一侧设有Al电极，Al金属与GaN之间为欧姆接触，该传感器还包括至少一根导电针，其竖直设置在GaN晶圆的表面，针尖与GaN晶圆表面形成肖特基接触，针中部通过导线连接电源，源表还连接至Al电极。该传感器可以实现在同一GaN晶圆上的集成多个压力传感器，达到高集成度的效果，还能通过改变偏置电压，实现对器件应力灵敏度的调控。