摘要
本发明提供一种三维集成的双路调制射频前端芯片、装置及设备,涉及射频前端集成技术领域。该芯片包括:自下而上垂直堆叠的第一层、第二层和第三层;所述第一层包括功放开关芯片;所述第二层包括低噪声放大器芯片;所述低噪声放大器芯片通过键合工艺与所述功放开关芯片中的收发开关进行互连;所述低噪声放大器芯片和功率放大器芯片通过金金植球堆叠装配到一起,通过hot‑via实现射频信号传输;所述第三层包括开关驱动器芯片;所述开关驱动器芯片通过绝缘胶粘接到低噪声放大器芯片上方。本发明通过芯片堆叠和互连方式,有效解决了现有射频前端集成方式体积较大的问题。
技术关键词
低噪声放大器芯片
射频前端芯片
开关驱动器
功率放大器芯片
射频前端装置
单刀双掷开关
射频前端设备
电路拓扑结构
CMOS工艺
链路
互连方式
芯片堆叠
通道
胶粘
信号
绝缘
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