一种MEMS压力传感器及制备方法

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一种MEMS压力传感器及制备方法
申请号:CN202511060072
申请日期:2025-07-30
公开号:CN120869402A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种MEMS压力传感器及制备方法,涉及压力传感器技术领域。该压力传感器包括:第一基体;第一芯片设置在第一基体上,第一芯片内具有压阻腔,第一芯片用于检测第一芯片在第一基体上对应的压力和第一温度;第二芯片设置在第一基体上,第二芯片用于检测第二芯片在第一基体上对应的第二温度,第二温度用于补偿第一温度。本申请通过在同一第二基体的第一芯片和第二芯片,可以减少测温位置分离导致的热梯度误差,使第二芯片测得的第二温度能真实反映第一芯片所在位置的温度变化,第一芯片可以利用第二温度来补偿其自身或环境引起的由于温度变化而引起的测量误差即第一温度,从而提高压力测量的准确性,从而输出准确的压力。
技术关键词
芯片 导电组件 基体 导电件 分隔槽 压力传感器技术 氧化层 分隔件 电路板 凹槽 测量误差 测温
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