一种物理势场约束下的磁梯度张量场插值方法

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一种物理势场约束下的磁梯度张量场插值方法
申请号:CN202511062010
申请日期:2025-07-31
公开号:CN121008326A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明属于磁场测量与仪器技术领域,涉及一种物理势场约束下的磁梯度张量场插值方法,包括建立磁梯度张量场的高斯过程模型,获取磁势核和超参数优化。本方法将多分量插值与曲化平融合至统一的高斯过程回归框架,并统一受到势场物理约束;使用的是完整势场物理约束,同时满足无旋性和无散性的约束,对于含有测量误差的磁梯度张量测量数据插值更精准和更好的抗干扰能力;本发明通过引入完整的物理约束融合高斯过程回归框架,提高磁梯度张量插值精度和稳定性。基于磁势核,本方法在联合概率模型中可以对所有磁梯度张量分量同时建模且保证分量之间的物理约束,且基于高斯过程回归框架天然能够处理任意分布的非平面数据,无需额外的势场延拓的步骤。
技术关键词
磁梯度张量 插值方法 超参数 物理 降阶模型 协方差矩阵 特征值 训练集 噪声方差 后验概率 方程 测量误差 数据 框架 密度 索引 线性 两点
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