一种去除Si3N4钝化层的湿法刻蚀液及使用方法

本发明属于半导体器件研究领域，涉及一种去除Si3N4钝化层的湿法刻蚀液及使用方法。本发明的刻蚀液包含NH4F、HF、H2O2，使用时先用冰乙酸调节pH，在一定温度下将芯片浸泡入刻蚀液后取出，经冲洗、吹干，用扫描电子显微镜观察去除情况。本发明刻蚀液能在保留芯片其他结构前提下，高效、选择性去除Si3N4钝化层，操作简单易掌控，废液易处理，环保友好，且合理的温度控制保障了刻蚀效果与溶液稳定性，克服了现有刻蚀过程Si3N4选择比低，废液污染大的问题。