高线性混频器芯片

本申请涉及微电子、半导体及通信技术领域，揭示了一种高线性混频器芯片，所述高线性混频器芯片包括：耦合器电路结构、高线性混频器芯片结构，所述高线性混频器芯片结构包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、多栅阻性晶体管M1、扼流电感L；射频信号通过多栅阻性晶体管的栅极进入，本振信号通过耦合器的输入端口进入，两路信号通过多栅阻性晶体管进行混频后，中频信号通过多栅阻性晶体管的漏极从耦合器的隔离端口通过滤波电路输出。多栅阻性晶体管利用源漏间的可变电阻实现混频，可变电阻的非线性低于二极管，利用多栅阻性晶体管结构，同时添加合适的栅极偏压，因此具有较高的线性度。