一种MOSFET的栅氧工艺故障定位优化方法及系统

本发明涉及半导体芯片相关技术领域，具体包括一种MOSFET的栅氧工艺故障定位优化方法及系统，包括：确定栅氧工艺关键参数，构建缺陷类型数字特征矩阵并关联分析设第一缺陷识别向量，定位故障源与敏感参数关联分析设第二向量，生成非支配解集，筛选最优工艺参数组合并发出补偿指令。解决无法全面深入反映碳化硅MOSFET栅氧化的质量，难以精准定位故障工艺点，碳化硅MOSFET器件性能稳定度低的技术问题，实现根据等效氧化层厚度、界面态密度等关键参数，构建栅氧缺陷类型的数字特征矩阵，与隔离氧化层、栅氧测试结构进行关联分析，监控并改善碳化硅MOSFET栅氧化质量，提高碳化硅MOSFET器件的性能和可靠性技术效果。