半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构及方法、计算机程序产品

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半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构及方法、计算机程序产品
申请号:CN202510378985
申请日期:2025-03-27
公开号:CN120142888A
公开日期:2025-06-13
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域,提供了一种半导体器件负偏置温度不稳定性的测试结构及方法、计算机程序产品。本发明通过温度预稳定将待测半导体器件维持至一恒定温度,减小甚至避免阈值电压漂移值误差受温度影响;通过以预设的时间间隔循环向所述待测半导体器件的栅极施加按预设规律递增应力负偏压,减少载流子快速弛豫带来的恢复效应;通过实时同步测量电流变化,避免延迟测量导致的恢复损失。本发明解决了现有NBTI测试的测量误差较大的问题,降低恢复效应带来的测量误差,实现NBTI测试的高可靠性。
技术关键词
负偏压 半导体器件 测试结构 应力 基准电压 电流 计算机程序产品 退化模型 频率同步 陶瓷加热盘 背景噪声 热电制冷器 测量误差 栅极 异常数据点 界面陷阱 动态
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