半导体器件及其制备方法、射频芯片及电子设备

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、射频芯片及电子设备，半导体器件包括：衬底；第一介质层，位于衬底上；图案化的第一膜层，位于第一介质层上，第一膜层包括多个加热电极和多个叉指电容；第二介质层，位于第一膜层上和第一介质层上；图案化的第二膜层，位于第二介质层上，第二膜层包括多个相变材料层，多个相变材料层在第一膜层上的投影分别与多个加热电极重合；第三介质层，位于第二膜层上和第二介质层上；图案化的第三膜层，位于第三介质层上，第三膜层包括多个第一引出焊盘、多个第二引出焊盘、第三引出焊盘和第四引出焊盘。根据申请的技术方案，能够实现可调电容功能，且具有更好的插损性能和更高的隔离度。