一种FinFET BSIM-CMG模型及建模方法

本发明涉及一种FinFET BSIM‑CMG模型及建模方法，属于半导体设计技术领域，包括：提取FinFET BSIM‑CMG模型的模型参数；搭建工艺角模型；计算工艺角模型参数的各point点的corner偏移量；构建偏移量折线图；若偏移量折线中含有突变点，则标记所述突变点为待处理点；用优化参数值替换待处理点的参数值，并对待处理点的参数值进行微调；遍历所有工艺角模型参数及其各point点的corner偏移量，更新所有待处理点的参数值，获得最终的FinFET BSIM‑CMG模型。本发明实现了模型快速优化，而且处理过程不需要额外插入若干尺寸，从而减少数据分析和处理的工作量，构建平滑模型的效率更高。