一种灵活改变线宽的光刻曝光方法

本申请涉及芯片光刻技术的领域，尤其是涉及一种灵活改变线宽的光刻曝光方法，具体包括以下步骤，晶圆涂胶；使用光刻版进行曝光；依据光刻胶类型以及线宽调节类型选择是否进行显影和硬烘；使用调节版对齐于光刻胶图案后沿光刻胶线宽方向进行对应的移动；依据光刻胶类型以及线宽调节类型进行二次涂胶或二次曝光的组合进行操作；进行最终的显影和硬烘；调节版的图案形状包括矩形，以对条形图案的线宽进行对应的调节，不需要所有图案线宽改变时都要重新制造光刻版，有助于降低光刻版成本和芯片验证周期。