ADB矩阵大灯热沉基板及其制备方法、ADB矩阵大灯

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ADB矩阵大灯热沉基板及其制备方法、ADB矩阵大灯
申请号:CN202410856812
申请日期:2024-06-28
公开号:CN118738248A
公开日期:2024-10-01
类型:发明专利
摘要
本公开的实施例提供一种ADB矩阵大灯热沉基板及其制备方法、ADB矩阵大灯,制备方法包括以下步骤:预备基板本体;采用激光刻蚀的方式在基板本体的至少一侧开设至少一个凹槽;采用激光刻蚀的方式在每一凹槽的底部开设至少一对间隔布置的通孔;在凹槽内形成围绕每一通孔的光刻胶图案;采用电镀工艺对通孔及光刻胶图案进行金属填充,以形成至少一对金属焊盘;清理金属焊盘的表面及周围。本公开的制备方法得到的ADB矩阵大灯热沉基板,在基板本体的至少一侧形成用于安装芯片的凹槽,以使安装芯片的位置的基板本体的厚度减小,便于芯片的散热;金属焊盘穿设于基板本体,使基板本体的表面更加整洁,减小基板整体的体积。
技术关键词
矩阵大灯 热沉基板 光刻胶图案 焊盘 电镀工艺 凹槽 通孔 氮化铝陶瓷 溶液 激光 种子层 氢氧化钾 氟化氢 芯片 金刚石 盐酸 硫酸
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