摘要
本发明涉及SRAM技术领域,提供一种SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备,SRAM芯片包括SRAM阵列,行解码器和列解码器;行解码器对应每行6T‑SRAM单元设置有字线;每列6T‑SRAM单元的接地端通过放电NMOS管接地;列解码器设置有写使能信号端、读使能信号端、或门,对应每列6T‑SRAM单元的读选择信号端、写选择信号端、与非门;写使能信号端、读使能信号端连接或门输入端,或门输出端连接各列与非门的输入端;每列与非门的输入端连接对应列的读选择信号端和写选择信号端,每列与非门的输出端连接对应列的放电NMOS管的栅极。以解决SRAM阵列难以兼顾功耗低、面积开销低和控制时序简单的问题。
技术关键词
SRAM单元
SRAM芯片
列解码器
NMOS管
PMOS管
行解码器
信号
栅极
多路复用器
静态随机存取存储器
鳍式场效应晶体管
接地端
位线预充电
阵列
输入端
输出端
电子设备
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