SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备

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SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备
申请号:CN202511088934
申请日期:2025-08-05
公开号:CN120581051B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明涉及SRAM技术领域,提供一种SRAM芯片、SRAM芯片控制方法及电子设备,SRAM芯片包括SRAM阵列,行解码器和列解码器;行解码器对应每行6T‑SRAM单元设置有字线;每列6T‑SRAM单元的接地端通过放电NMOS管接地;列解码器设置有写使能信号端、读使能信号端、或门,对应每列6T‑SRAM单元的读选择信号端、写选择信号端、与非门;写使能信号端、读使能信号端连接或门输入端,或门输出端连接各列与非门的输入端;每列与非门的输入端连接对应列的读选择信号端和写选择信号端,每列与非门的输出端连接对应列的放电NMOS管的栅极。以解决SRAM阵列难以兼顾功耗低、面积开销低和控制时序简单的问题。
技术关键词
SRAM单元 SRAM芯片 列解码器 NMOS管 PMOS管 行解码器 信号 栅极 多路复用器 静态随机存取存储器 鳍式场效应晶体管 接地端 位线预充电 阵列 输入端 输出端 电子设备
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