一种缓存区域的校正方法、装置、电子设备及存储介质

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一种缓存区域的校正方法、装置、电子设备及存储介质
申请号:CN202511096301
申请日期:2025-08-06
公开号:CN120949986A
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供一种缓存区域的校正方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:响应于用户输入的针对超长列表渲染任务的滚动指令,获取与滚动指令对应的滚动参数,根据滚动参数、预设基础缓冲区域和超长列表的滚动区域范围,确定待渲染项范围区域;根据预先建立的预测模型,对待渲染项范围区域进行预测,得到预测高度,根据预测高度和预设高度,确定与预测高度对应的目标误差;根据预先设置的校正策略,确定与目标误差对应的目标校正策略;根据目标校正策略对待渲染项范围区域进行校正,可以根据不同的需求,对待渲染项范围区域进行校正,这样就可以实时匹配滚动速度,从而生成匹配的渲染项区域,进而完成超长列表的渲染。
技术关键词
校正策略 校正方法 机器学习模型 线性回归模型 误差 列表 基准高度 参数 缓冲 样本 电子设备 可读存储介质 文本 梯度下降法 指令 处理器 校正装置 校正模块 数据
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