摘要
本发明涉及半导体芯片方法领域,公开了一种新型网格式模板紫外光刻加工方法,该技术的特点在于将一个具备相关图形的网格式模板覆盖在衬底上然后在网格式模板上方滴入光刻胶,待光刻胶覆盖整个网格式模板上并渗入网格内部的图形与衬底接触以后沿着网格式模板上方进行刮涂将网格上面多余的光刻胶刮掉。最后进行紫外光照并加热,将光刻胶固化,并剥离网格式模板。该技术兼并物理和化学性能,有效解决常规紫外光刻技术的驻波效应,同时可以制备出高纵宽比的光刻胶柱,节约成本。
技术关键词
格式模板
网格式
光刻胶
图形化基板
衬底
聚乙烯吡咯烷酮
紫外光刻技术
纳米压印光刻
二氧化硅
喷涂法
聚乙烯醇
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