一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法

本发明涉及LED芯片技术领域，本发明公开了一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法，所述倒装高压发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延结构，外延结构包括外延层，外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽，所述隔离槽将外延结构分隔为若干个独立发光单元，相邻的发光单元通过连接层电性连接，外延层上设置有反射层和绝缘层，所述绝缘层覆盖所述反射层并填充于所述隔离槽中，其中，相邻两个所述发光单元之间，所述隔离槽的夹角为α，所述绝缘层包括位于所述隔离槽中的第一绝缘层，所述第一绝缘层的夹角为θ，α＞θ。实施本发明，能在提升LED芯片发光亮度的基础上，大幅提升其抗静电击穿能力。