一种GaAs基薄膜集成无源技术的W波段SIW滤波器芯片

本申请提供一种GaAs基薄膜集成无源技术的W波段SIW滤波器芯片，包括：介质基板，以及分别设置在介质基板的上表面和下表面的金属层；介质基板中设置有金属通孔阵列，在金属通孔阵列的上下表面分别覆盖有金属层；金属层通过贯穿基板的金属化通孔阵列形成五个串联的谐振腔结构，依次为第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔;所述五个谐振腔均工作在TE101模式，其中，第一谐振腔的长度L1等于第五谐振腔的长度L5，第二谐振腔的长度L2等于第四谐振腔的长度L4，第三谐振腔的长度为L3，且L1、L2、L3均不相等。