双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法

本发明提供了双面散热倒装GaN功率芯片封装结构及封装方法，涉及半导体封装领域，包括内部结构，内部结构包括：GaN功率芯片，正面具有漏电极、源电极和栅电极；散热板，设置在GaN功率芯片的上方，并且散热板与GaN功率芯片的背面粘接；源极引线框架端子、漏极引线框架端子、栅极引线框架端子与对应的电极电连接，封装结构还包括塑封体，塑封体包裹在内部结构外，并使得散热板的上表面、源极引线框架端子、漏极引线框架端子和栅极引线框架端子的下表面裸露，本申请通过将GaN功率芯片中的各个电极与相对应的引线框架端子电连接，舍弃了引线键合的方式，从而消除电感的影响，使得本封装结构在使用时能够提供更高频、更高速的使用效果。