摘要
本发明涉及半导体封装技术领域,具体地说是一种芯片堆叠结构及封装方法。堆叠结构包括底层芯片和堆叠芯片,多层堆叠芯片依次堆叠在底层芯片上,堆叠芯片的焊盘设有漏孔,漏孔下方开设有连通下层芯片焊盘的孔,孔内填充有用于上下焊盘互联的导电结构,多层堆叠芯片的导电结构互相连通,本发明还提供一种芯片堆叠结构的封装方法,同现有技术相比,通过对焊盘进行漏孔设计,解决了向上堆叠的芯片堆叠后TSV的接触孔需要转移的问题,实现了叠层芯片的焊盘与TSV孔的原位接触,提高了TSV孔的布局密度。
技术关键词
芯片堆叠结构
多层堆叠芯片
封装方法
导电结构
露出焊盘
Bosch工艺
晶圆
半导体封装技术
层沉积
叠层芯片
光刻掩膜
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接触孔
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