SiC MOSFET器件内部构造缺陷识别方法及系统

本发明公开了SiC MOSFET器件内部构造缺陷识别方法及系统，涉及半导体器件缺陷检测与表征技术领域，方法包括：对SiC MOSFET器件进行缺陷事故追溯，构建多层缺陷追溯网络；对器件进行多模态实测，获得实测特征数据；据此进行器件层、芯片层、晶格层缺陷识别，获得缺陷识别第一、第二、第三结果；对这些结果进行缺陷特征追溯校正，获得多层次缺陷图谱。本发明解决了传统检测手段无法全面精准识别半导体器件SiC MOSFET各层缺陷，导致数据不全面、不精确，难以满足对其缺陷精准评估和可靠管控的技术问题，达到了对SiC MOSFET各层缺陷的全面精准识别，数据全面准确，满足其缺陷精准评估和可靠管控需求的技术效果。