分级处理芯片制造缺陷模块的方法、电子设备和介质

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正文
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分级处理芯片制造缺陷模块的方法、电子设备和介质
申请号:CN202511173200
申请日期:2025-08-21
公开号:CN120674342B
公开日期:2025-10-24
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片技术领域,尤其涉及一种分级处理芯片制造缺陷模块的方法、电子设备和介质,方法包括步骤S1、获取芯片组成模块集合{B1,B2,...,Bn,...,BM};步骤S2、获取每一Bn对应的B1n、B2n、B3n;步骤S3、根据每一Bn对应的B1n、B2n、B3n确定Bn对应的组别Cn;步骤S4、根据每一Bn对应的组别Cn对每一Bn进行可测性设计测试,确定每一Bn对应的测试结果,测试结果包括对应的组别信息;步骤S5、根据每一Bn对应的测试结果确定芯片屏蔽目标,将屏蔽目标中的非必须运行逻辑设置为屏蔽状态。本发明提高了处理芯片制造缺陷模块的效率和准确性。
技术关键词
扫描链 模块 芯片 标识 标记 计算机可执行指令 逻辑 信号 时钟缓冲器 输入接口 电子设备 保护单元 处理器通信 可读存储介质 存储器 控制单元
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