多物理场耦合硅基光互连芯片退化模型构建方法及应用

本申请涉及半导体光电子技术领域，公开了一种多物理场耦合硅基光互连芯片退化模型构建方法及应用，该方法先构建多物理场耦合分析模型，通过场间耦合方程及材料老化动力学模型，定量表征热力学、光学、电学与材料老化的耦合关系；再以有限元分析模拟多环境应力下芯片关键区域的场分布并提取数据；随后结合加速老化试验与长期运行监测采集历史退化数据，基于机器学习对数据处理后建立退化参数预测模型；最后将有限元结果与预测结果输入材料老化动力学模型，最终形成多物理场耦合退化模型。本发明解决了现有技术依赖单一物理场、退化机制分析不全面、寿命评估不准的问题，可为硅基光互连芯片可靠性评估、结构优化及寿命预测提供支撑。