一种高功率激光芯片的焊接工艺

本申请涉及一种高功率激光芯片的焊接工艺，涉及芯片焊接技术领域，包括以下步骤：步骤S1：将热沉与安装座固定，在芯片一侧引入高频振动，振动方向平行于焊接面，步骤S2：随着振动的持续，芯片的振动和热沉表面产生摩擦，表面温度升高造成接触面的金属融化；步骤S3：在维持振动的同时，向芯片表面施加压力，使芯片向热沉侧靠近，使得芯片的功能层和热沉表面充分接触融合；步骤S4：对热沉进行散热。步骤S5：取下焊接完成的热沉。本焊接工艺通过振动摩擦焊接的方式，热沉无需预制焊料，芯片P面工艺可减少隔离层，简化芯片工艺；无焊料设计，在高温工作环境下避免焊料引入的材料应力，保持芯片的性能稳定。