一种高功率垂直腔面激光芯片

本发明涉及垂直腔面激光器技术领域，尤其为一种高功率垂直腔面激光芯片，包括基板和发光芯片，所述基板的顶部边缘设有切割道，所述基板的顶部中间位置设有固定槽，所述基板的固定槽下侧设有多组均匀分布的引脚槽和散热孔，所述基板的固定槽内固定连接有多个发光芯片，所述发光芯片的顶部四角处设有四个散热槽，本发明中，通过设置的基板和发光芯片，该芯片可以通过将多行发光芯片在左右方向上进行错位排布，一定程度上提高了散热效率，使发光芯片可以更加密集的安装，同时可以使相邻两发光芯片的发光孔最小间距进一步缩小，使单位发光面积功率得到提高，使得同样的发光功率下能减小产品的尺寸，进而提高了封装的便利性。