陶瓷封装基板、半导体芯片及陶瓷封装基板的制作方法

本发明属于半导体芯片封装技术领域，具体涉及一种陶瓷封装基板、半导体芯片及陶瓷封装基板的制作方法，包括陶瓷芯板和ABF/BT复合层；所述陶瓷芯板的陶瓷基板上设置有若干互联孔，互联孔贯穿陶瓷基板的上下表面；陶瓷基板表面设置电镀铜覆膜层；陶瓷芯板的上方和下方均设置有ABF/BT复合层，所述ABF/BT复合层包括若干层叠布置的ABF/BT层，每个ABF/BT层的外侧均设置有覆铜板层；最外侧的ABF/BT层的表面上设置有阻焊层，阻焊层的外侧设置有表面处理层。本方案的陶瓷封装基板的中心处具有陶瓷芯板，使其具有导热率高、硬度强，抗弯曲性能高，绝缘性好，介电损耗小，耐高温耐腐蚀等优点，经久耐用，能够延长封装基板的使用寿命，并提高出厂的合格率。