复合衬底及其制备方法、半导体器件、芯片

本公开提供了一种复合衬底及其制备方法、半导体器件、芯片，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决多片衬底键合在一起后，键合界面电阻较高，导致复合衬底的导通电阻较高的问题；所述复合衬底包括：依次堆叠设置的第一衬底、功能层和第二衬底；第一衬底和第二衬底通过功能层连接；其中，功能层的材料的电阻率小于或等于1×10‑4Ω·cm。