一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法、LED封装体，所述发光二极管芯片包括衬底以及位于所述衬底上的外延功能层，所述发光二极管芯片的侧面包括交替排列的第一梯形沟槽和第二梯形沟槽，所述第一梯形沟槽的底面和侧壁的表面粗糙度大于所述第二梯形沟槽的底面和侧壁的表面粗糙度，进而在后续的封装工艺中，封装材料可以嵌入到相应的所述第一梯形沟槽和所述第二梯形沟槽中，大大提高了封装层与发光二极管芯片的结合稳定性，且发光二极管芯片的侧面包括交替设置的所述第一梯形沟槽和所述第二梯形沟槽，进而可以扩展发光二极管芯片的出光角度，且提高发光二极管芯片的出光效率。