晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法

本发明涉及紫外LED制造技术领域，尤其涉及一种晶面调控型宽光谱深紫外LED芯片及其制备方法。包括：图形化衬底为具有凸起或凹陷的三维立体结构，凸起或凹陷的最高点或最低点与衬底表面的高度差范围为0~10微米；凸起或凹陷由倾斜平面区域组成，倾斜平面区域与衬底表面夹角角度为0~15度；外延结构依次为n型AlGaN层、AlGaN多量子阱结构层、p型AlGaN层；p型欧姆接触复合金属层设置在p型AlGaN层上；n型AlGaN层一侧部分暴露，设置n型欧姆接触复合金属层。优点在于：利用倾斜角对AlGaN组分的调控，在不同区域上形成多组分，实现单片上多光谱集成，稳定性高；发光波段覆盖波长范围大于20 nm。