一种低损伤去除高能离子作用后碲镉汞表面光刻胶的方法

本发明涉及一种低损伤去除高能离子作用后碲镉汞表面光刻胶的方法，包括以下步骤：S1，将进行了干法刻蚀或离子注入工艺后的带有光刻图形的碲镉汞样品放置于石英托盘上，准备进行等离子干法去胶工艺；S2，将碲镉汞样品放置于等离子反应设备预真空室中，设定等离子体干法去胶工艺参数，高温下运行程序，进行高温去胶，去除经高能离子作用后碳化的光刻胶；S3，通过高温去胶去除碳化光刻胶后，进行低温去胶，将剩余光刻胶去除干净；S4，将干法去胶后的碲镉汞样品从等离子体反应腔室中取出，并检验去胶效果。能有效避免湿法去胶后芯片表面存在大量光刻胶残留的问题，也能避免采用人工擦洗、二次机洗等会对碲镉汞芯片材料表面造成损伤的相关步骤。