一种芯片堆叠封装体及其制造方法

本发明涉及一种芯片堆叠封装体及其制造方法，特别是涉及半导体技术领域，为了避免第一芯片和第二芯片在键合在一起之后产生电性接触，进而选择在键合工艺之前，对第一芯片的凹凸表面进行氧离子注入工艺，以在所述硅衬底内部形成含氧硅层，并对第一芯片的背面进行激光处理，使得所述硅衬底内部的含氧硅层转变为氧化硅层，然后对所述硅衬底中位于所述氧化硅层上方的部分进行反向掺杂处理，以提高该部分的电阻率，通过上述工艺步骤，可以有效提高第一芯片的凹凸表面的绝缘性能，进而在后续的键合工序中，可以确保第一芯片和第二芯片之间不产生电性接触，进而提高芯片堆叠结构的稳定性。