应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆

本申请涉及一种应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆，包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括第一表面和第二表面，第一表面为与第二晶圆的键合面；从第一表面侧在第一晶圆内形成隔离槽和通槽，隔离槽和通槽均从第一表面延伸至第一晶圆内，通槽深度小于隔离槽深度；从第二表面侧在第一晶圆内形成隔离腔；第一晶圆包括应力隔离区和围绕在应力隔离区外周的第一切割道区，应力隔离区与第二晶圆的芯片区对应，第一切割道区与第二晶圆的第二切割道区对应，应力隔离区包括第一隔离区和围绕在第一隔离区外周的第二隔离区，隔离槽形成在第二隔离区，通槽从第一切割道区向第一隔离区的方向延伸至连通隔离槽，隔离腔形成在第一隔离区。