一种单片集成芯片及其制备方法

一种单片集成芯片及其制备方法，具体涉及一种单片集成芯片，包括：实体硅区域以及空心区域；实体硅区域设置有压力传感器以及加速度传感器；空心区域设置有角度传感器以及压电型致动器，压电型致动器对称设置在空心区域，角度传感器设置在压电型致动器发生应力形变的空心区域，温度传感器靠近角度传感器设置。本申请将多个不同功能的传感器以及压电型致动器通过共用的工艺流程集成在同一芯片上，多个传感器灵活配置，可适配多种平台与应用场景。