异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片及制作方法

本发明公开了一种异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片，包括硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅波导器件层、氮化硅波导器件层、二氧化硅包层Ⅰ、金属电极层Ⅰ、薄膜铌酸锂波导层、二氧化硅包层Ⅱ、金属电极层Ⅱ和二氧化硅保护层，二氧化硅埋氧层置于硅衬底上，硅波导器件层置于二氧化硅埋氧层上，氮化硅波导器件层置于硅波导器件层上，金属电极层Ⅰ置于硅波导器件层上，薄膜铌酸锂波导层置于二氧化硅包层Ⅰ上，金属电极层Ⅱ置于二氧化硅包层Ⅱ上。本发明还公开一种异质集成薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片的制作方法。优点，本发明通过芯片‑晶圆或晶圆‑晶圆级的键合或BCB胶水粘接等方式将薄膜铌酸锂在含氮化硅波导的硅光工艺平台上异质集成。