使用Micro-led光电混合垂直互连的多层堆叠芯片及封装方法

本发明提供了使用Micro‑led光电混合垂直互连的多层堆叠芯片及封装方法，涉及半导体领域，包括：基板，在基板上电连接有SoC芯片，SoC芯片包括：第一SoC芯片，倒装于基板并与基板电连接；至少一个第二SoC芯片，若干第二SoC芯片纵向依次堆叠并电连接，最下方的第二SoC芯片与第一SoC芯片电连接；多层堆叠芯片还包括光电组件，光电组件包括光发射单元和光接收单元，光电组件分别设置在相邻的SoC芯片之间，并与SoC芯片电连接，该方案显著降低对硅通孔技术的依赖，提升了传输带宽，简化了封装复杂度，光互连通道具备优异的抗电磁干扰能力和极低串扰，能高数据速率下保持信号完整性，有效克服了传统电互联中的信号衰减和噪声问题。