一种适用于高功率耦合的平面光波导芯片

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一种适用于高功率耦合的平面光波导芯片
申请号:CN202520012077
申请日期:2025-01-03
公开号:CN223582184U
公开日期:2025-11-21
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型涉及光电子技术领域,特别是指一种适用于高功率耦合的平面光波导芯片,解决了现有技术中散热效率低,芯片集成度低的问题,包括基底和上包层,基底和上包层之间设有芯层,芯层上设有光波导,上包层上设有深槽结构,深槽结构靠近光波导一侧的侧壁上设有散热凸起。本实用新型产生的有益效果是:将深槽结构集成设置在光波导芯片上,深槽结构作为散热通道使用,提高整体系统的集成度;深槽结构和深槽结构内的散热凸起能够增加光波导芯片的表面积,有效增加热散发效率,减少高功率产生热量的积聚,避免出现光波导芯片局部过热的情况。
技术关键词
平面光波导芯片 深槽结构 高功率 三角形凸块 沿光波导 基底 矩形 间距 通道
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