一种兼容低工作电压的POR电路

AITNT
正文
推荐专利
一种兼容低工作电压的POR电路
申请号:CN202520030859
申请日期:2025-01-07
公开号:CN223284560U
公开日期:2025-08-29
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型公开了一种兼容低工作电压的POR电路,包括延迟单元,延迟单元用于在VIO电压的上电过程中产生一个滞后于VIO电压变化的跟随电压;延迟单元包括第一支路、第二支路和第三支路;第一支路包括依次串联的第一PMOS管、第一NMOS管和第二电阻;第二支路包括串联的第一电阻和第二NMOS管;第三支路包括串联的第二PMOS管和电容单元。本实用新型对MIPI RFFE芯片的POR电路进行了优化,实现VIO=1.8V和1.2V兼容工作,在较低VIO电压下能正常提供有效的复位信号,实现硬复位功能。
技术关键词
延迟单元 PMOS管 电容单元 NMOS管 栅极 电压 电阻 射频前端芯片 电路 支路 硬复位 接地端 信号 阶段
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片
接触孔 沟槽 栅极多晶硅 介质 功率
2
多指GGNMOS器件及制造方法、芯片
GGNMOS器件 衬底 浅槽隔离区 离子 半导体集成电路技术
3
一种传感器的电源控制电路
电源控制电路 控制单元 电阻单元 电池 水浸传感器
4
一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法
GaNHEMT器件 输入结构 电流阻挡层 梯度掺杂 栅极
5
显示设备及其数据处理方法和装置、驱动芯片
数据处理方法 画面 显示设备 数据处理装置 时序控制信号
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号