半導體器件的製造方法及半導體製程設備

本申請公開了一種半導體器件的製造方法及半導體製程設備，該方法包括：利用第一製程氣體對粗化層進行修飾，以降低粗化層的表面粗糙度，第一製程氣體包括能够與粗化層反應的化學刻蝕氣體和能够對粗化層物理轟擊的物理轟擊氣體，物理轟擊氣體在第一製程氣體中的占比大於化學刻蝕氣體在第一製程氣體中的占比；利用第二製程氣體對經修飾的粗化層、第二導電類型半導體層、有源層和第一導電類型半導體層刻蝕至目標深度。本申請能够實現降低粗化表面刻蝕副産物對刻蝕的負載影響，提升芯片亮度和電學穩定性。