一种基于混合键合的背面供电芯片结构及其制备方法

本申请属于半导体制造封装技术领域，具体公开了一种基于混合键合的背面供电芯片结构及其制备方法，制备方法包括：制备第一半导体结构，其自下而上至少包括：第一晶圆、埋入式电源轨、器件层以及信号互连层；第一晶圆中设置有贯穿的第一组TSV，且第一组TSV中填充有导电金属柱；制备第二半导体结构，自下而上至少包括：第二晶圆和供电网络层；使用混合键合工艺将第一和第二半导体结构进行键合，实现结构和电学连接，完成背面供电芯片制造。通过本申请，采用两块晶圆制备背面供电的芯片结构，在一块晶圆上制备芯片结构，另一块晶圆上制备背面供电结构；两块晶圆可以采用不同工艺制程制造相应结构，提高芯片的工艺灵活性、制备效率且有效降低成本。