一种三维光电集成封装结构及其制备方法

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一种三维光电集成封装结构及其制备方法
申请号:CN202411746353
申请日期:2024-11-29
公开号:CN119581348B
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种三维光电集成封装结构及其制备方法,该封装结构包括TSV基底、重新布线层、第一电芯片、第二电芯片、介质层、导电柱、光芯片模块、3D堆叠芯片及水平存储芯片,本发明通过TSV基底和重新布线层将光芯片模块、第一电芯片及3D堆叠芯片连接以构成光集成电路,通过TSV基底和重新布线层将3D堆叠芯片、第二电芯片及水平存储芯片连接以构成电集成电路,从而缩短了光集成电路与电集成电路之间的传输距离,减小了封装面积,降低了功耗,实现了光电芯片的高密度集成封装。
技术关键词
光电集成封装结构 堆叠芯片 存储芯片 布线 光芯片 ASIC芯片 大马士革工艺 集成电路 基底 导电柱 高密度集成封装 散热层 芯片模块 介质 逻辑 光电芯片 背板 衬底
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