一种三元掺杂氧化钒薄膜及其制备方法和应用

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一种三元掺杂氧化钒薄膜及其制备方法和应用
申请号:CN202410715243
申请日期:2024-06-04
公开号:CN118814147A
公开日期:2024-10-22
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种三元掺杂氧化钒薄膜及其制备方法和应用。本发明采用一步水热合成,简化了材料制备步骤并减少了杂质引入,有利于提高薄膜的纯度。通过三元掺杂抑制氧化钒晶体的生长,晶粒尺寸减小从而降低表面粗糙度。由金属相向绝缘相转变的临界温度值降低,更容易在接近室温的温度下发生相转变,有利于扩大其应用领域及工作温度范围。
技术关键词
掺杂氧化钒薄膜 红外探测芯片 氟硼酸 热敏薄膜 硅衬底 一步水热 蓝宝石衬底 柔性衬底 铬酸钠 氧空位 多孔碳 氟化铵 氟化钠 改性 去离子水 粗糙度 反应釜
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