一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移区与顶端外延区之间设置有多个P型浮岛，可以增加对饱和电流的钳制作用，强化短路特性，同时P型浮岛的自耗尽作用有利于减小器件内第一电极层与栅极之间的电容，提升器件的开关特性，并且，可以在较浅的P型阱区和较深掺杂的电流扩展区的情况下，有效平衡击穿电压和导通电阻的折衷关系，使器件在不影响击穿电压的前提下优化了导通电阻，满足了高功率应用对器件性能的要求。