改善半导体掺杂均匀性的方法

本申请提供一种改善半导体掺杂均匀性的方法，包括：在衬底层沿第一方向的一侧形成漂移层，漂移层包括多个芯片区；在漂移层的芯片区背离衬底层的一侧形成外延层，外延层、漂移层和衬底层形成基础晶圆片，外延层的掺杂浓度小于漂移层的浓度；以及对外延层进行离子注入，使外延层的至少部分形成半导体层；离子注入包括第一注入步骤，使半导体层包括第一掺杂区；第一注入步骤包括第一子离子注入和/或第二子离子注入；第一子离子注入的注入方向沿外延层的第一晶向，第二子离子注入的注入方向沿外延层的第二晶向；第一晶向为外延层中原子的线性排列密度最高的晶向；外延层中原子沿第二晶向的线性排列密度为外延层中原子沿第一晶向的线性排列密度的40％－70％。