一种阴、阳离子混合掺杂的改性氧化钒薄膜及其制备方法和应用

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一种阴、阳离子混合掺杂的改性氧化钒薄膜及其制备方法和应用
申请号:CN202410715244
申请日期:2024-06-04
公开号:CN118792642A
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种阴、阳离子混合掺杂的改性氧化钒薄膜及其制备方法和应用。本发明的方法能够掺杂抑制氧化钒晶体的生长,晶粒尺寸减小从而降低表面粗糙度。制备得到的改性氧化钒薄膜由金属相向绝缘相转变的临界温度值降低,且具有更合适的室温方块电阻值与更高的温度电阻系数,有利于扩大其应用领域及工作温度范围。
技术关键词
氧化钒薄膜 五氧化二钒 改性 草酸氧钒 温度电阻系数 红外探测芯片 钨掺杂 氟掺杂 热敏薄膜 硅衬底 蓝宝石衬底 柔性衬底 氟硼酸 钨酸钠 钨酸铵 多孔碳 氟化钾 氟化铵
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