一种面向曼哈顿版图的电子束光刻邻近效应混合校正算法

本发明是一种面向曼哈顿版图的电子束光刻邻近效应逆向校正方法，目的是通过结合剂量调制纠正长距离效应和形状调整纠正短距离效应的优点，实现更高精度地进行邻近效应校正，从而提高电路图案保真度。本方法首先将原始目标版图裂解为互不相交的矩形，计算整个版图的能量沉积密度，接着使用剂量校正迭代算法更改整个版图的曝光剂量分布，然后遍历每个图形贪心地进行形状调整，直到满足退出条件。本发明共分为四个步骤：步骤S1裂解目标版图；步骤S2计算版图能量沉积密度；步骤S3邻近效应剂量校正；步骤S4邻近效应形状校正。